本篇文章给大家谈谈MEMS振镜制作工艺流程，以及振镜工作原理对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。 今天给各位分享MEMS振镜制作工艺流程的知识，其中也会对振镜工作原理进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！

本文目录一览：

硅胶模具制作(工艺流程与注意事项)

浇注浮雕类的模具，应先制作长宽都大于原雕长宽各4-6CM的边框。边框要平正，内面要光滑。浇注时，将边框放置在干净的玻璃板上，再将原型件放在框中，每边留出2-3CM的间隙（模具硅胶25-35元/KG）。

制模：将调配好的材料，倒入待仿制的清洁的实物上即可。为了节省材料，制得较薄的模具，也可分次涂刷。为增加模具的拉力可糊纱布之类。在室温20度条件下2小时就能固化为弹性体，一天后就可使用。

硅胶模具制作方法如下：放置母模：将勺子的母模模型水平放置。确定体积：评估液体硅胶的用量，最简单的方法是用水或者细沙。将模具装满水，然后将其从模具中倒入量杯中。

静电mems振镜原理

结构设计差异、制造过程差异。结构设计差异：双轴MEMS振镜的两个轴向采用了不同的结构设计，导致两个方向的振动频率不同。

MEMS 采用二维微振镜，仅需要少量激光收发单元，通过一面MEMS微振镜来反射激光器的光束即可实现对目标物体的3D扫描，对激光器和探测器的数量需求明显减少。

表现良好。微振镜是采用光学MEMS技术制造的，把微光反射镜与MEMS驱动器集成在一起的光学MEMS器件。

简述p型衬底制作nmos晶体管的基本工艺流程

1、NMOS工艺就是制作NMOS器件的工艺，属常规半导体工艺。NMOS的结构如下：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。

2、n阱工艺：N阱CMOS工艺采用轻掺杂P型硅晶圆片作为衬底，在衬底上做出N阱，用于制作PMOS晶体管，而在P型硅衬底上制作NMOS晶体管。

3、P阱CMOS工艺以N型单晶硅为衬底，在其上制作P阱。NMOS管做在P阱内，PMOS管做在N型衬底上。

4、CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）工艺是一种常见的半导体制造工艺，用于制造集成电路（IC）。以下是CMOS工艺的基本步骤： 晶片准备：开始时，需要准备晶片的硅片（wafer）。

关于MEMS振镜制作工艺流程和振镜工作原理的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗 ？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。 MEMS振镜制作工艺流程的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于振镜工作原理、MEMS振镜制作工艺流程的信息别忘了在本站进行查找喔。